
IU
Điểm Chịu Lực An Toàn Hơn

Hệ thống implant IU được thiết kế với sự kết hợp tối ưu giữa góc ren thẳng và hình thể thân thuôn. Khi đặt điểm nén cách xương vỏ 3 mm (tại vùng dưới vỏ), hệ thống có khả năng hạn chế tiêu xương vỏ. Bên cạnh đó, việc áp dụng ren vuông ở phần cổ implant (tương ứng vùng xương vỏ và dưới vỏ) giúp tăng khả năng ổn định ban đầu ngay cả trên nền xương kém chất lượng, đồng thời làm giảm ứng suất Von Mises tối đa tác động lên xương vỏ.
Cấy Ghép Dễ Dàng với Ren Hình Chữ V

Kết Nối Lục Giác Trong Góc 11°

Hệ thống implant IU sử dụng thiết kế kết nối lục giác trong với góc nghiêng 11 độ.
OIU
Implant Nguyên Khối (Onebody Implant)

Các hệ thống implant kết nối ngoài và kết nối trong đều tiềm ẩn nguy cơ chuyển động vi mô, có thể dẫn đến lỏng vít và tiêu xương. Hệ thống Onebody IU của Warantec là dòng implant nguyên khối không kết nối, với thiết kế cải tiến giúp loại bỏ hoàn toàn các yếu tố bất lợi này.
IT
Hình Dạng Chân Răng & Ren Tăng Cường Lực Dần (Progressive Power Thread)

Thiết kế thân implant thuôn theo toàn bộ hình dạng chân răng tự nhiên. Ren Tăng Cường Lực Dần (Progressive Power Thread) có độ sâu tăng dần từ 2° đến 4° ở vùng chóp implant, không chỉ giúp đạt được độ ổn định ban đầu vượt trội, mà còn hỗ trợ phân tán lực hiệu quả nhờ hình dạng ren vuông.
Ren Vi Nhỏ (Micro Thread)

Ren vi nhỏ (Micro Thread) có kích thước 400 μm giúp tăng độ ổn định thứ cấp và phân tán ứng suất bằng cách gia tăng mật độ xương và mở rộng diện tích tiếp xúc tại vùng xương viền (marginal bone).
Cổ Hẹp & Rãnh Vi Nhỏ (Microgroove)

Bề Mặt SLA (ABE)




OIU
Implant Nguyên Khối (Onebody Implant)

Các hệ thống implant kết nối ngoài và kết nối trong đều tiềm ẩn nguy cơ chuyển động vi mô, có thể dẫn đến lỏng vít và tiêu xương. Hệ thống Onebody IU của Warantec là dòng implant nguyên khối không kết nối, với thiết kế cải tiến giúp loại bỏ hoàn toàn các yếu tố bất lợi này.
UT
Hình Dạng Chân Răng & Ren Tăng Cường Lực Dần (Progressive Power Thread)

Ren Vi Nhỏ (Micro Thread)

Bề Mặt SLA (ABE)




Kết Nối Lục Giác Trong Góc 11°
